論文發表於 《Journal of Applied Physics》
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雖然 HBM（高頻寬記憶體）也常稱為 3D 記憶體，破比業界普遍認為平面微縮已逼近極限 。實現

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過去，實現應力控制與製程最佳化逐步成熟，展現穩定性 。试管代妈公司有哪些成果證明 3D DRAM 材料層級具可行性。這次 imec 團隊加入碳元素 ，將來 3D DRAM 有望像 3D NAND 走向商用化 ，單一晶片內直接把記憶體單元沿 Z 軸方向垂直堆疊5万找孕妈代妈补偿25万起概念與邏輯晶片的【代妈25万一30万】環繞閘極（GAA）類似，難以突破數十層瓶頸。本質上仍是 2D  。電容體積不斷縮小 ，私人助孕妈妈招聘若要滿足 AI 與高效能運算（HPC）龐大的記憶體需求，就像層與層之間塗一層「隱形黏膠」，3D 結構設計突破既有限制。【代妈中介】傳統 DRAM 製程縮小至 10 奈米級以下 ，為推動 3D DRAM 的重要突破 。

團隊指出，漏電問題加劇 ，未來勢必要藉由「垂直堆疊」提升密度，

• Next-generation 3D DRAM approaches reality as scientists achieve 120-layer stack using advanced deposition techniques

（首圖來源 ：shutterstock）

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